企业简介
![郑州华硕精密陶瓷有限公司](http://img.czvv.com/logo/4c73807f11209d6b8e84c90c/4c73807f11209d6b8e84c90c.png)
郑州华硕精密陶瓷有限公司的商标信息
序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
1 | 6674432 | ![]() |
HUAMING | 2008-04-21 | 碳;工业用石墨;工业硅;原子堆燃料;原子堆用燃料;核反应堆减速材料;减少核反应堆放射材料;硅;纤维素浆;显影剂 | 查看详情 |
2 | 6674431 | ![]() |
HUAMING | 2008-04-21 | 研磨剂;碳化硅(研磨料);研磨膏;磨光制剂;研磨材料;砂布;上光剂;香精油;香木;动物用化妆品 | 查看详情 |
3 | 6674429 | ![]() |
HUAMING | 2008-04-21 | 非建筑用熔凝碳化硅(半成品);未加工或半加工玻璃(建筑玻璃除外);瓷器装饰品;制刷原料;玻璃板(原材料);非绝缘非纺织用玻璃纤维;非纺织用玻璃纤维线 | 查看详情 |
4 | 6428705 | ![]() |
华明 | 2007-12-10 | 碳;工业用石墨;工业硅;原子堆燃料;原子堆用燃料;核反应堆减速材料;减少核反应堆放射材料;硅;纤维素浆;显影剂 | 查看详情 |
5 | 6428704 | ![]() |
华明 | 2007-12-10 | 研磨剂;碳华硅(研磨料);研磨膏;磨光制剂;研磨材料;砂布;上光剂;香精油;香木;动物用化妆品 | 查看详情 |
郑州华硕精密陶瓷有限公司的专利信息
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN100500405C | 常压烧结碳化硅生坯制品的模压成型方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种常压烧结碳化硅生坯制品的模压成型方法,它的加工步骤为:第一步、在配制成的料浆中,即粉 |
2 | CN100500612C | 高电阻常压烧结碳化硅制品的生产方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种高电阻常压烧结碳化硅制品的生产方法,它主要包括下述步骤:第一步:提纯,即将粒度为d5 |
3 | CN201112364Y | 承载盘 | 2008.09.10 | 本实用新型公开了一种承载盘,它包括圆盘体,沿轴向开设在所述圆盘体外周面上的V形槽,所述圆盘体由碳化硅 |
4 | CN100402423C | 常压烧结碳化硅制品的快速烧结法 | 2008.07.16 | 本发明公开了一种常压烧结碳化硅制品的快速烧结法,A.对于高度在10mm以上,内径10-70mm,密度 |
5 | CN100534957C | 易损石墨件的保护方法 | 2009.09.02 | 本发明公开了一种易损石墨件的保护方法,首先,取8-10%的聚乙烯醇和碳化硅微粉分别按照重量份1-1. |
6 | CN300855979D | 碳化硅承载盘(5) | 2008.12.03 | 主视图为主创面,省略其它视图。 |
7 | CN300846348D | 碳化硅承载盘(6) | 2008.11.05 | 1.本外观设计产品为制造集成电路晶元用的设备配件。2.省略左视图、右视图、俯视图、仰视图。 |
8 | CN300846346D | 碳化硅承载盘(1) | 2008.11.05 | 1.本外观设计产品为制造集成电路晶元用的设备配件。2.设计要点在于主视图,省略其他视图。 |
9 | CN300846347D | 碳化硅承载盘(4) | 2008.11.05 | 1.本外观设计产品为制造集成电路晶元用的设备配件。2.主视图为主创面;省略后视图、左视图、右视图、俯 |
10 | CN300834558D | 碳化硅承载盘(3) | 2008.10.01 | 1.本外观设计产品为制造集成电路晶元用的设备配件。2.主视图为主创面;省略后视图、左视图、右视图、俯 |
11 | CN300834557D | 碳化硅承载盘(2) | 2008.10.01 | 主视图为主创面;省略后视图、左视图、右视图、俯视图、仰视图。 |
12 | CN100374371C | 喷雾造粒制备亚微米级碳化硅微粉的方法 | 2008.03.12 | 本发明公开了一种喷雾造粒制备亚微米级碳化硅微粉的方法,1.将粒度为10-150mμm的碳化硅粉与水混 |
13 | CN101139214A | 易损石墨件的保护方法 | 2008.03.12 | 本发明公开了一种易损石墨件的保护方法,首先,取8-10%的聚乙烯醇和碳化硅微粉分别按照重量份1-1. |
14 | CN101104560A | 高电阻常压烧结碳化硅制品的生产方法 | 2008.01.16 | 本发明公开了一种高电阻常压烧结碳化硅制品的生产方法,它主要包括下述步骤:第一步:提纯,即将粒度为d5 |
15 | CN1915632A | 常压烧结碳化硅生坯制品的模压成型方法 | 2007.02.21 | 本发明公开了一种常压烧结碳化硅生坯制品的模压成型方法,它的加工步骤为:第一步、在配制成的料浆中,即粉 |
16 | CN1915810A | 常压烧结碳化硅制品的快速烧结法 | 2007.02.21 | 本发明公开了一种常压烧结碳化硅制品的快速烧结法,A.在900℃以前,无论产品形状大小为何,均可按12 |
17 | CN1915809A | 喷雾造粒制备亚微米级碳化硅微粉的方法 | 2007.02.21 | 本发明公开了一种喷雾造粒制备亚微米级碳化硅微粉的方法,1.将粒度为10-150μ的碳化硅粉与水混合搅 |
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